Seiring dengan pengungkapan memori GDDR6X oleh syarikat, Micron telah mengungkapkan rencananya untuk membuat memori jenis HBM baru yang disebut HBMnext, yang bertujuan untuk menyampaikan “permintaan pasar untuk lebih banyak data”.
Akhir tahun ini, Micron merancang untuk melepaskan memori HBM2E yang menawarkan kelajuan 3.2Gb / s atau tahap prestasi “berpotensi lebih tinggi”. Ini sesuai dengan spesifikasi memori Flashbolt HBM2E yang telah diumumkan Samsung, meletakkan Micron pada kedudukan yang serupa dengan pesaingnya.
Micron telah menyatakan bahawa “produk seperti HBM akan berkembang maju dan mendorong jumlah yang lebih besar dan lebih besar”, menunjukkan bahawa HBMnext akan menawarkan lebih daripada sekedar kelajuan berbanding penawaran HBM hari ini. Lebar jalur yang meningkat selalu dialu-alukan, tetapi peningkatan kapasiti setiap cip akan menjadi semakin penting kerana set data terus meningkat dalam ukuran / kelantangan.
Nama HBMnext menunjukkan bahawa pengganti HBM yang dirancang Micron akan berbeza dalam reka bentuk daripada apa yang boleh disebut sebagai memori HBM3. Micron telah menyatakan bahawa mereka sedang berusaha untuk menyeragamkan JEDEC untuk HBMnext, menunjukkan bahawa produk tersebut mungkin tidak seperti apa yang ditawarkan oleh pesaing mereka.
Dengan pelancaran akhir tahun 2022, peminat perkakasan tidak boleh berharap untuk mendengar tentang HBMnext lagi dalam masa terdekat. Kami tinggal dua tahun dari pelancaran produk berpotensi terawal HBMnext,
